技术文章
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阈值电压详解
阈值电压是描述MOS结构栅极输入特性的一个极为关键的参数,它定义为MOS结构的Pwell表面形成强反型所需要的最小栅极电压。阈值电压的高低反映了MOS的抗干扰能力的强弱与驱动的难易程度。
넶4 2025-08-16 -
IGBT的输出特性和转移特性
IGBT的输出特性曲线,即在给定的栅极-发射极电压VGE下,集电极电流IC与集电极、发射极电压VCE之间的关系。它由两个工作区域组成,正向电流-电压特性位于第一象限,反向电流-电压特性位于第三象限。
当集电极-发射极之间加正向电压(即VCE>0)时,IGBT输出特性曲线类似于功率MOSFET,包含了截止区、线性区、饱和区和击穿区。넶5 2025-08-16 -
MOS器件电性参数Vt详解
在半导体器件中,Threshold Voltage(阈值电压,通常记为 VT) 是 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的核心参数之一,用于定义器件从 “关态”(截止状态)切换到 “开态”(导通状态)的临界条件。
넶11 2025-07-28 -