• 首页
  • 关于我们
  • 产品中心
  • 技术文章
  • 新闻中心
  • 联系我们

全国统一热线电话:

  • 手机:
    17795792519

欢迎您来到西安中昊芯测科技有限公司官方网站!

技术文章

—

  • 阈值电压详解

    阈值电压是描述MOS结构栅极输入特性的一个极为关键的参数,它定义为MOS结构的Pwell表面形成强反型所需要的最小栅极电压。阈值电压的高低反映了MOS的抗干扰能力的强弱与驱动的难易程度。

    넶4 2025-08-16
  • IGBT的输出特性和转移特性

    IGBT的输出特性曲线,即在给定的栅极-发射极电压VGE下,集电极电流IC与集电极、发射极电压VCE之间的关系。它由两个工作区域组成,正向电流-电压特性位于第一象限,反向电流-电压特性位于第三象限。

    当集电极-发射极之间加正向电压(即VCE>0)时,IGBT输出特性曲线类似于功率MOSFET,包含了截止区、线性区、饱和区和击穿区。

    넶5 2025-08-16
  • MOS器件电性参数Vt详解

    在半导体器件中,Threshold Voltage(阈值电压,通常记为 VT) 是 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的核心参数之一,用于定义器件从 “关态”(截止状态)切换到 “开态”(导通状态)的临界条件。

    넶11 2025-07-28
  • MOSFET雪崩特性参数介绍

    近年来有将雪崩测试加入到CP测试中的趋势,已经有国外厂商进行了相关的一些测试,目前雪崩测试引入到CP测试中会面临一些挑战,

    넶7 2025-07-22
  • 技术文章
  • 首页
  • 关于我们
  • 产品中心
  • 技术文章
  • 新闻中心
  • 联系我们

联系我们 / CONTACT US

电话:177-9579-2519
手机:177-9579-2519(黄经理)

          180-1261-9541(王经理)

          152-0240-0087(黄   工)
地址:西安市未央区凤城二路10号

          天地时代广场B座812

0
版权所有: 西安中昊芯测科技有限公司

在线留言 / ONLINE MESSAGE

끸
验证码
提交

微信二维码 / SCAN ON WECHAT

 本网站由阿里云提供云计算及安全服务
本网站支持 IPv6
 本网站由阿里云提供云计算及安全服务
本网站支持 IPv6
 本网站由阿里云提供云计算及安全服务
本网站支持 IPv6
 本网站由阿里云提供云计算及安全服务
本网站支持 IPv6