功率器件动态参数测试系统SD1200
名称：功率器件动态参数测试系统
型号：SD1200
用途：测试FRD,MOSFET,IGBT(兼容 SiC 基产品)
产品详情
测试能力：
测试产品：SiC FRD,MOSFET,IGBT(兼容 Si 基产品)
1. 开关时间测试(标配)
测试条件： ID：1A～0.1kA, VDS：5V～1.2kV, VGS：-20V～20V, IG：2A, Rg：感性阻性可切换001mH-160mH10程控/5、10、20、100、500欧可选
测试参数: td(on)\ tr\ td(off)\tf：1nS -10uS， Eon\Eoff：1~2000mJ
2. 反向恢复特性测试(标配)
测试条件：IF: 1A～0.1kA,VR: 5V～1.2kV, di/dt: 50A/us～1kA/us
测试参数: trr:1nS-10uS,Qc:1nC~100uC,Irm：1A~0.1kA, Erec：1～2KmJ
3. 栅极电荷测试(标配)
测试条件： VDS: 5V～1.2kV，ID: 0A～0.1kA， VGS: -20V～20V
测试参数：Qgon、Qgs、Qgd：1nC~100uC，Vpl：0~20V
4. 短路电流测试(选配)
测试条件：Pulse width: 1us～50us，VDS: 5V～1.2kV
测试参数： Peak ID: 10A～1kA， Delta Vds: 5V～1.2kV
5. 容阻测试(选配)
测试条件： VDS:5V～1.2kV
测试参数：Rg&Ciss.Coss.Cres
6. 雪崩测试UIS(选配)
7. 动态电阻测试(选配)
系统特点：
专注于功率器件动态参数评测，基于Labview开发的人机交互界面，所有测试条件均可界面化输入，系统闭环处理，自动调节实现一键测试；
采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强；
设备带有自动高温加热功能，温度范围：室温~200℃，精度±0.1℃；
结果输出形式：Excel数据，.JPEG格式波形，Excel波形数据，其波形可实现任意放大，缩小细节展宽处理分析；
采用Dual ARM控核，DSP作数据采样计算，极大的减少了控制时延带来的误差；
