2.1 SiC-MOSFET结构特点
  • 纵向结构：源极、栅极、漏极垂直排列，电流纵向流动
  • 漂移层：利用SiC的高临界击穿电场(~3 MV/cm)特性，可大幅减薄漂移层厚度，降低导通电阻
  • 栅极结构：有平面栅(工艺成熟)和沟槽栅(性能更优但制造难度高)两种类型
  • 宽禁带材料特性：3.2eV禁带宽度，远高于硅材料
2.2 IGBT结构特点
  • 由MOSFET与双极型晶体管组合而成的复合结构
  • 包含集电极、发射极和栅极三个电极
  • 硅基材料：1.1eV禁带宽度，临界击穿电场约0.3 MV/cm
  • 结构设计更复杂，需兼顾MOS栅控和双极导电特性


创建时间：2025-08-20 22:15
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一文看懂SiC-MOSFET与IGBT原理与结构

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