1） 将栅极（G）与源极（S）短接，防止沟道开启；

2） 在源极（S）与漏极（D）之间加电压VSD；

3） 测试流过漏极（D）的电流I_D，当I_D=最高连续漏极电流时，此时源极和漏极之间所加的电压即为V_SD。

功率MOSFET结构中，P-体区与N-漂移区构成的PN结二极管（如下图）

二极管正向压降就是PN结导通时克服内建电场所需要的电压，其大小主要与PN结内建电场的电势差V_D有关，V_D表达式为：

K为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，q为电子电荷量，N_A为P区掺杂浓度，N_D为N区掺杂浓度，n_i为本征载流子浓度。

其中，本征载流子浓度n_i表达式为:

N_c和N_v分别为导带和价带的有效状态密度；E_g为半导体的禁带宽度。

根据上述两个公式，功率MOSFET的正向压降V_SD主要与P-体区、N-漂移区掺杂浓度、温度、材料属性（禁带宽度、有效质量）有关。随结两边掺杂浓度的升高而变大，随温度升高而降低，随材料禁带宽度变大而变大。

在功率MOSFET器件中，正/背面金属与半导体材料（Si）的接触及芯片面积同样会影响V_SD的大小。