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功率半导体之碳化硅-研发实力大比拼：斯达半导、捷捷微电、三安光电、新洁能、扬杰科技、晶盛机电
根据斯达半导(603290)、捷捷微电(300623)、三安光电(600703)、新洁能(605111)、扬杰科技(300373)、晶盛机电(300316)公开披露数据，对6家公司的研发实力信息等数据统计如下。
넶4 2025-08-20 -
一文看懂SiC-MOSFET与IGBT原理与结构
넶2 2025-08-20 -
阈值电压详解
阈值电压是描述MOS结构栅极输入特性的一个极为关键的参数，它定义为MOS结构的Pwell表面形成强反型所需要的最小栅极电压。阈值电压的高低反映了MOS的抗干扰能力的强弱与驱动的难易程度。
넶4 2025-08-16 -
IGBT的输出特性和转移特性
IGBT的输出特性曲线，即在给定的栅极-发射极电压VGE下，集电极电流IC与集电极、发射极电压VCE之间的关系。它由两个工作区域组成，正向电流-电压特性位于第一象限，反向电流-电压特性位于第三象限。
当集电极-发射极之间加正向电压（即VCE>0）时，IGBT输出特性曲线类似于功率MOSFET，包含了截止区、线性区、饱和区和击穿区。넶5 2025-08-16
